硬盤的主要性能參數(shù)

1.硬盤容量：

　  硬盤內(nèi)部往往有多個疊起來的磁盤片，所以說硬盤容量=單碟容量×碟片數(shù)，單位為GB，硬盤容量當然是越大越好了，可以裝下更多的數(shù)據(jù)。要特別說明的是，單碟容量對硬盤的性能也有一定的影響：單碟容量越大，硬盤的密度越高，磁頭在相同時間內(nèi)可以讀取到更多的信息，這就意味著讀取速度得以提高。

2.轉速：

　　硬盤轉速（Rotationspeed）對硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率有直接的影響，從理論上說，轉速越快越好，因為較高的轉速可縮短硬盤的平均尋道時間和實際讀寫時間，從而提高在硬盤上的讀寫速度；可任何事物都有兩面性，在轉速提高的同時，硬盤的發(fā)熱量也會增加，它的穩(wěn)定性就會有一定程度的降低。所以說我們應該在技術成熟的情況下，盡量選用高轉速的硬盤。

3.緩存：

一般硬盤的平均訪問時間為十幾毫秒，但RAM（內(nèi)存）的速度要比硬盤快幾百倍。所以RAM通常會花大量的時間去等待硬盤讀出數(shù)據(jù)，從而也使CPU效率下降。于是，人們采用了高速緩沖存儲器（又叫高速緩存）技術來解決這個矛盾。　　簡單地說，硬盤上的緩存容量是越大越好，大容量的緩存對提高硬盤速度很有好處，不過提高緩存容量就意味著成本上升。

4.平均尋道時間（averageseektime）：

意思是硬盤磁頭移動到數(shù)據(jù)所在磁道時所用的時間，單位為毫秒（ms）。平均訪問時間越短硬盤速度越快。

5.硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率（Datatransferrate）：

也稱吞吐率，它表示在磁頭定位后，硬盤讀或寫數(shù)據(jù)的速度。硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率有兩個指標：

6.突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率（burstdatatransferrate）：

也稱為外部傳輸率（externaltransferrate）或接口傳輸率，即微機系統(tǒng)總線與硬盤緩沖區(qū)之間的數(shù)據(jù)傳輸率。突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率與硬盤接口類型和硬盤緩沖區(qū)容量大小有關。

7.持續(xù)傳輸率（sustainedtransferrate）：

也稱為內(nèi)部傳輸率（Internaltransferrate），它反映硬盤緩沖區(qū)未用時的性能。內(nèi)部傳輸率主要依賴硬盤的轉速。

8.控制電路板:

上面主要集成了用于調(diào)節(jié)硬盤盤片轉速的主軸調(diào)速電路、控制磁頭的磁頭驅動與伺服電路和讀寫電路以及控制與接口電路等。除了這些保證硬盤基本功能的基礎電路以外，新式的硬盤上大多都還有自己的專用電路，主要是提供S.M.A.R.T（Self- Monitoring，AnalysisandReportingTechnology自我監(jiān)測、分析和報告系統(tǒng)）的支持和各廠商自己開發(fā)的提高硬盤可靠性的技術的硬件上的支持。

此外，電路板上還有一塊類似于BIOS芯片作用的ROM。其中固化的程序可以在硬盤加電以后自動執(zhí)行啟動主軸電機、初始化尋道、定位和自檢等一系列初始化動作。另外，硬盤上也自帶了一定數(shù)量的緩存，其作用我們前面已經(jīng)介紹過。硬盤的控制芯片負責數(shù)據(jù)的交換和處理，是硬盤的核心部件之一。